شرکت کروسل که در زمینه فروش لوازم جانبی فعالیت می کند بر اساس میزان فروش لوازم جانبی برای گوشی های مختلف لیست پرفروش ترین گوشی هایی را که در طول ماه اکتبر به فروش رسیده را اعلام کرد.

لیست گوشی های پرفروشی که توسط کروسل ارایه شده براساس فروش گوشی های مختلف در ۶ قاره و بیش از ۷۰ کشور سراسر دنیا منتشر شده است.

برای دیدن لیست کامل به ادامه مطلب بروید ...

بعد از  یکسال دوباره خواهیم آمد ....

تلویزیون های سه بعدی نسل جدیدی اند که در حال جایگزین شدن با تلویزیون های فعلی هستند. تا به حال برای انتخاب مناسب از میان تلویزیون های پلاسما، ال سی دی و LED در الکترون ۱ ‏ مطالب مختلفی خوانده اید. اما اگر بخواهید یک تلویزیون سه بعدی انتخاب کنید سراغ کدام سازنده ها می روید؟ قرار است در این مطلب پاسخ این سوال را پیدا کنید.
‏

به ادامه مطلب بروید ...

پیشرفت روز افزون فن آوری های مختلف شاید در نگاه اول باعث ارتقا روش زندگی و هرچه ساده تر شدن استفاده از امکانات مختلف شود اما شاید تغییر و پیشرفت همیشه هم دلپذیر نباشد.در این مقاله به بررسی فن آوری هایی می پردازیم که به احتمال زیاد دوام چندانی در سال های آینده نخواهند داشت اما کمتر کسی پیدا می شود که دلش برای این گجت های دوست داشتنی تنگ نشود.

اولین هارد دیسک 5 مگابایتی جهان در سال 1956 ساخته شده توسط شرکت IBM

فناوري‌هاي بي‌سيم مخصوص ارسال و دريافت اطلاعات به صورت گسترده در انواع دستگاه‌هاي ديجيتالي و الکترونيکي مورد استفاده قرار مي‌گيرند و با اين وجود، کاربران همچنان مجبورند براي شارژ دستگاه الکترونيکي از کابل استفاده کنند. کابل‌هاي مخصوص شارژ دستگاه‌ها همچنان به عنوان يک ابزار لازم و ضروري مورد استفاده قرار مي‌گيرند، اما شرکت سوني ادعا مي‌کند که به زودي وابستگي دستگاه‌هاي الکترونيکي به کابل‌هاي برق را از بين خواهد برد.

سوني نمونه اوليه از سيستم تامين انرژي جديدي توليد کرده است که مي‌تواند انرژي لازم براي شارژ دستگاهي نظير تلويزيون را به صورت بي‌سيم ارسال کند. شرکت سوني در آزمايش‌هاي صورت گرفته موفق شد 100 ولت انرژي الکتريسيته را تا فاصله 50 سانتي‌متري به تلويزيون LCD با اندازه 22 اينچ برساند و آن را روشن کند.
اين دستگاه بر مبناي سيستم مغناطيسي رزونانسي فعاليت مي‌کند. بخش مرکزي اين دستگاه که وظيفه توليد انرژي را برعهده دارد و به اندازه 40 سانتي‌متر ساخته شده است، شامل يک سيم‌پيچ مرکزي مي‌شود و علاوه بر آن يک سيم‌‌پيچ ثانويه را نيز در خود جا داده است که به وسيله آن‌ها مدارهاي مغناطيسي ايجاد مي‌شوند. زماني که سيم‌پيچ دوم در مدار مغناطيسي قرار مي‌گيرد، اين جريان موجب مي‌شود تا امکان ارسال نيروي الکتريسيته به صورت بي‌سيم فراهم مي‌شود

سه نفر از دانشمندان لابراتوارهای بل در صدد کشف چیزی بودند که به جای لامپ رادیو به کار برند ولی کوچکتر و محکمتر باشد برق کمتری مصرف کند و دوام بیشتری داشته باشد و برر اثر کار زیاد نسوزد که ناگهان ترانزیستور را کشف کردند که تمام این خصوصیات را به علاوه مزایای بیشتری دارا است.

در 30 ژوئن 1948 دکتر جان باردین و والد براتاین دانشمندان آزمایشگاه تحقیقاتی شرکت بل، واقع در نیویورک خبر اختراع خود را به عموم جهان رساندند. این اختراع ترانزیستور نام گرفت.

ادامه مطلب ...

خازنهای ثابت

این خازنها دارای ظرفیت معینی هستند که در وضعیت معمولی تغییر پیدا نمی‌کنند. خازنهای ثابت را بر اساس نوع ماده دی الکتریک به کار رفته در آنها تقسیم بندی و نام گذاری می‌کنند و از آنها در مصارف مختلف استفاده می‌شود. از جمله این خازنها می‌توان انواع سرامیکی ، میکا ، ورقه‌ای ( کاغذی و پلاستیکی ) ،الکترولیتی ، روغنی ، گازی و نوع خاص فیلم (Film) را نام برد.

به ادامه مطلب بروید...

  حسگر یک وسیله ی الکتریکی است که تغییرات فیزیکی یا شیمیایی را اندازه گیری می کند وآنها را به سیگنالهای الکتریکی تبدیل می نماید. حسگرها درواقع ابزار ارتباط ربات با دنیای خارج وکسب اطلاعات محیطی ونیز داخلی می باشند، ویا به طور کلی ابزارهایی هستند که تحت شرایط خاص ازخود واکنشهای پیش بینی شده ومورد انتظار نشان می دهند. شاید بتوان دماسنج را جزء اولین حسگرهایی دانست که بشرساخت .

به ادامه مطلب بروید ...

محققین دانشگاه کمبریج موفق به ساخت نوعي لامپ LED  شدند که علارغم سايز کوچک، راندمان کاری آن 12 برابر بیشتر از لامپهاي حاوی رشته تنگستین است و 3 برابر بهتر از لامپ های کم مصرف کنوني عمل مي کنند. طول عمر کاري این لامپ کوچک LED صد هزار ساعت یعنی معادل با 60 سال تخمين زده شده است. به گفته طراحان, اين لامپ قادر است صورت حساب برق مصرفی منزل شما را از روند صعودی، به 5 درصد کاهش دهد.  به ادامه مطلب بروید ...

شاید زمانی قرار گرفتن یک دوربین بر روی گوشی های موبایل تنها به یک رویا شباهت داشت و یا وجود حافظه هم ، گوشی دادن موسیقی و ... . که همگی امروزه به امری عادی تبدیل شده است و تنها این اتفاق با گذشت زمان و پیشرفت تکنولوژی انجام گرفته است . به گونه ای که امروزه شاهد گوشی هایی با دوربین های بسیار با کیفییت 8 مگاپیکسلی یا حافظه های 16 گیگابایتی و هزاران امکانات دیگر هستیم.

اما هدف از این مقدمه چه بود؟

هدف این بوده تا شما با حقایقی آشنا شوید و در آن به صورت یک امر غیر ممکن یا غیر واقعی ننگرید. مسلما سالیان بعد هم شاهد پیشرفت های بسیار زیادی هستیم و این اتفاق خوب این بار برای سونی اریکسون در حال رقم خوردن است.
شرکتی که از سال 2001 فعالییت خود را شروع کرد و اولین محصول خود را در سال 2003 روانه بازار ساخت و به مرور شاهد پیشرفت آن بودیم تا جایی که الان رده سوم بازار های جهانی را در دست دارد.

طی آخرین خبر ها که بسیار جدی نیز می باشد ، مهندسان و دانشمندان این شرکت و شرکت های وابسته به آن در حال رسیدن به تکنولوژی های جدید هستند که تلاش خود را در این زمینه بیش از پیش کرده اند و وعده های زیادی مبنی بر رونمایی از آنها در سال 2012 میلادی داده اند.

یکی از مهمترین این پیشرفت ها ساخته شدن سنسور جدید CMOS توسط سونی یکی از سهام داران سونی اریکسون است که امکان تولید دوربین هایی با توان 12 تا 20 مگاپیکسل توسط آن فراهم شده است که در نوع خود یک رویای بی نظیر محسوب می شود اما طولی نخواهید کشید که به یک حقیقت شیرین تبدیل می گردد.

هر چند از 8 مگاپیکسل تا 12.25 مگاپیکسلی محصولاتی هستند که به زودی و در سال 2009 به احتمال خیلی زیاد شاهد آن هستیم ولی از 12.25 مگاپیکسل تا 20 مگاپیکسل محصولاتی هستند که در سال های بعد همچون سال 2012 میلادی شاهد ظهور آنها هستیم.(امیدواریم که چنین اتفاقی بیفتد)

در شکل زیر این لنز جدید را مشاهده میکنیم.

زمانی که نیروی الکتریکی مختصری به این کپسولها وارد شود، ذرات سیاه به سمت سطح خارجی صفحه حرکت کرده و نقاط سیاهی را به وجود می آورند که به این وسیله اجزای نوشتاری و حتی گرافیکی بر روی صفحه نمایان می شوند. دوام تصویر بر روی این صفحات در حدود 90 روز خواهد بود.

بر اساس گزارش liveScience ، مجله ها برای 150سال یکنواخت و یک شکل به نظر می آمدند و انتظار هیچگونه تغییری در صنعت چاپ مجلات وجود نداشت. اختراع چنین شیوه ای می تواند تحول بزرگی را در این صنعت به وجود بیاورد.
 

این دوربین که از چشم انسان الهام گرفته است، به وسیله قرار گرفتن گیرنده های حساس به نور بسیار کوچک در یک غشا نرم و قابل انعطاف ساخته شده است که در آینده برای تشخیص بیماری در بدن انسان نیز استفاده خواهد شد.

این گیرنده های حساس به نور که عملکردی شبیه به گیرنده های دوربینهای دیجیتال دارند از یک صفحه نیمه هادی سخت و صاف که دارای میلیونها پیکسل است تشکیل شده است.

محققان دانشگاه ایلینویز و گروهی از مهندسین مکانیک دانشگاه نورث وسترن در پی تحقیقات خود این گیرنده ها را به قطعات کوچکی که "چیپلت" خوانده می شوند تبدیل کردند. سپس قطعات همجوار را به کمک کوچکترین کابل دنیا، به ضخامت یک میکرون به شکل دایره به یکدیگر وصل کردند. به این شکل در صورت فشرده شدن دایره ،کابل، ارتباط الکترونیکی را حفظ کرده و به چیپلتها این اجازه را می دهد که هماهنگ با قطعات مجاورشان حرکت کنند.

محققان پوسته کشسان و منعطفی را به وجود آورده و دایره شبکه مانند را درون آن قرار دادند. پوسته منعطف به دوربین این قابلیت را می دهد که در صورت کش آمدن و تغییر شکل دادن تصویری واضح به وجود بیاورد.

بر اساس گزارش بی بی سی، دکتر جان راجرز که این تحقیقات را رهبری می کند گفت: این اولین باری است که قطعات سخت نیمه هادی الکترونیکی با یک سطح کاملا انعطاف پذیر ادغام می شوند. کاربرد این تکنولوژی انعطاف پذیر بسیار گسترده خواهد بود. گیرنده های این دوربین می تواند توسط هر نوع دیگری از گیرنده ها جایگزین شود و به طور یکپارچه درون بدن انسان قرار گیرد.

 این گروه هم اکنون بر روی ابزار مشابهی که در آن الکترودها جایگزین چیپلتها خواهند شد کار می کنند تا بتوانند این ابزار را درون مغز افراد مبتلا به صرع ،جهت اخطار قبل از آغاز حمله عصبی ناگهانی، قرار دهند. این ابزار همچنین می تواند به وسیله فرستادن سیگنالهای الکترونیکی به عنوان دستگاه تنظیم ضربان قلب در بدن انسان استفاده شود.
 

این دستگاه اطلاعات دریافتی شامل دما، مقاومت الکتریکی و زمان را به کامپیوتر ارسال می کند و کاربر می تواند اطلاعات مورد نظر را به صورت متن دریافت و نمودارهای لازم را تحت برنامه Excel اجرا کند. 

دستگاه ترمو میکرو اهم همچنین می تواند دماهای تغییر حالت را در فاصله دمایی 180- درجه سانتیگراد تا 120 درجه سانتیگراد به دقت اندازه گیری و حفظ کند.

این دستگاه با همت متخصصین ایرانی در پژوهشگاه مواد و انرژی طراحی و ساخته و در واحد تحصیلات تکمیلی این پژوهشگاه نصب و راه اندازی شد.
 

اکنون گروهی از محققان دانشگاه پردو و دانشگاه ایلینویز موفق شدند یکی از بزرگترین موانع موجود بر سر راه تولید این ترانزیستورهای ساخته شده از شبکه های نانولوله های کربنی را حل کنند.

اصطلاح "نانو شبکه ها" به فناوری اطلاق می شود که به کمک آن مدارات یکپارچه از تعداد زیادی نانولوله ها که به صورت اتفاقی و تصادفی روی یک ساختار شبیه تور ماهیگیری می افتند تشکیل می شوند.

به گفته این دانشمندان که نتایج یافته های خود را در مجله "نیچر" منتشر کرده اند، این شبکه به طور معمول با نانولوله های فلزی که سبب ایجاد یک جریان الکتریکی کوچک می شوند آلوده شده و به این ترتیب در عملکرد آنها اختلال ایجاد می شود.

اکنون محققان نشان دادند که این مشکل می تواند با قطع نانولوله های فلزی در داخل لایه های مختلف این نانوشبکه حل شود.

در حقیقت با بریدن مسیر نانولوله های فلزی می توان از ایجاد این جریان الکتریکی کوچک برسر راه نانوشبکه ها جلوگیری کرد.

این ابزار از یک نانوسیم به قطر 100 نانومتر ساخته شده است که از دو طرف محکم نگه داشته شده و توسط الکترودهایی که در هر طرف آن قرار دارند، به کار می‌افتد.

اگر این ابزار بهینه شود، می‌تواند به عنوان حافظه در کاربردهای فضایی و امنیتی مورد استفاده قرار گرفته و حتی جایگزین SRAMها شود.

می‌توان با اعمال یک اختلاف پتانسیل بین این نانوسیم و یکی از الکترودهای کناری آن، این ابزار را سوئیچ کرد. در این حالت نانوسیم بسته شده، از یک وضعیت به وضعیت دوم که پایدار است، تغییر یافته و در آنجا می‌ماند.

در تئوری این ابزار می‌تواند بدون مصرف هرگونه انرژی یک بیت اطلاعات را در خود ذخیره کند، اما نمونه‌ای که ساخته شده است، برای سوئیچ کردن نیاز به اختلاف پتانسیل بالایی دارد.

کاربرد اصلی این وسیله در ابزارهای ذخیره‌سازی غیرفرار است. از آنجایی که احتمالاً این ابزار در مقابل تشعشع مقاوم است، در نتیجه کاندیدای مناسبی برای استفاده در فضا و کاربردهای امنیتی است. می‌توان از این وسیله جدید به جای SRAMهایی همانند حافظه فلش استفاده کرد.

این ابزار که به راحتی با استفاده از لیتوگرافی الکترونی و روش‌های حکاکی قابل ساخت است، می‌تواند با حافظه‌های نانولوله‌ای (همانند نمونه ساخته شده توسط شرکت Nanetro) رقابت کند.

اساس کار این دو یکی است، اما در اینجا نانوسیم که می تواند تا چند میکرون طول داشته باشد، جایگزین نانولوله می‌شود. با این حال یکی از مزایای این نمونه جدید این است که ساختن آن راحت‌تر است.

از ستاد ویژه توسعه فن‌آوری نانو، گروه پژوهشی که رهبری آن را توشیوشی از دانشگاه توکیو بر عهده دارد، در حال برنامه‌ریزی برای توسعه فرایند ساخت خود می‌باشد.

تمرکز اصلی آنها روی پوشش کناری فلزی است تا ولتاژ مورد نیاز برای سوئیچ کردن نانوسیم را کاهش دهند.

مشکل اصلی دیگر، مطالعه رفتار حرکتی سیم(فعال کردن سیم با یک سیگنال متناوب نزدیک به فرکانس طبیعی آن) است.

این مدار بسیار کوچک به دست فیزیکدانان دانشگاه روتگرز، مرکزJPL سازمان فضایی آمریکا (ناسا) در کالیفرنیا و فیزیکدانان دانشگاه ایالتی نیویورک در بوفالو ابداع شده است.

ضخامت نانومدار ابداعی 100 برابر کمتر از ضخامت یک تار موی انسان بوده و نسبت به آثار بسیار ضعیف نور در طیف مادون قرمز دور دست (بلندترین طول موجهای مادون قرمز) حساس است، این نور فراتر از رنگهایی است که انسان قادر است با چشم عادی ببیند.

مایکل گرشن سان، ‌استاد فیزیک در روتگرز و یکی از پژوهشگران اصلی این تحقیق می‌گوید: در کائناتی که همچنان در حال بسیط شدن است، ابتدایی ترین ستاره‌ها با سرعتی نزدیک به سرعت نور در حال فاصله گرفتن از ما هستند در نتیجه نور آنها وقتی به ما می‌رسد به شدت به رنگ قرمز تغییر می‌کند و مادون قرمز به نظر می‌رسد.

وی می‌افزاید: این نور نامرئی 98 درصد از نور منتشر شده را از زمان وقوع «انفجار بزرگ» تشکیل می‌دهد و ممکن است اطلاعات و بینش‌هایی را درباره ابتدایی ترین مراحل شکل‌گیری ستاره‌ها و کهکشان مربوط به تقریبا 14 میلیارد سال پیش ارائه کند. از آنجا که اتمسفر زمین به شدت نور فرامادون قرمز را جذب می‌کند؛ لذا، تلسکوپ‌های رادیویی زمینی نمی‌توانند نور بسیار ضعیف را که از این ستاره‌ها منشاء می‌گیرد تشخیص دهند؛ بنابراین، دانشمندان در پی ساخت نسل جدیدی از تلسکوپ‌های فضایی هستند که بتواند این نور را جمع‌آوری کند و نانومدار جدید در همین راستا طراحی شده است.

همه کسانی که آشنایی هر چند محدود با سخت افزار الکترونیکی دارند می دونند که تقریبا هر سیستم الکترونیکی به یک منبع تغذیه ی DC نیاز دارد. این منبع DC باید در مقابل تغییرات ولتاژ ورودی(برق شهر) و همچنین تغییرات بار(مصرف کننده) تثبیت شده باشد، پس در واقع مدارات مجتمع رگولاتور از عناصر ولتاژ مرجع(مثل دیودهای زنر) برای تثبیت ولتاژ استفاده می کنند. متداولترین آی سی های رگولاتور  معمولا 3 پایه(سری 78xx) یا 5 پایه(مثل L200) یا بیشتر (مثل LM723 با 14 پایه) می باشند. دسته ای از رگولاتور های سه پایه مثل سری 78xx دارای ولتاژ ثابت اند و گروهی دیگر از سری LM، ولتاژ خروجی قابل تنظیم دارند . آی سی های سری 78xx ( دو رقم آخر بیانگر ولتاژ ثابت خروجی است) جریان 1 آمپر را تامین می کنند و از 5 تا 24 ولت وجود دارند. مثلا شماره ی 7808 دارای ولتاژ 24 و جریان 1 آمپر است. xx می تواند اعدادی مثل 05، 06، 08، 10، 12، 15، 18 یا 24 باشد. رگولاتور های سری LM با ولتاژ های متغیرنیز موجودند و رگولاتور بسیار دقیق و جالب LM723 که دارای 14 پایه است، ولتاژ خروجی متغیر 2 تا 37 و جریان 150 میلی آمپر را بدون ترانزیستور خارجی تامین میکند که با افزودن ترانزیستور تا 10 آمپر قابلیت افزایش جریان را داراست.

البته آی سی های سه پایه رایج ترین انواع قابل استفاده در مدارات مجتمع هستند .رگولاتوری که در اینجا می خواهیم ازآن برای استفاده در  ساخت یک منبع تغذیه صحبت کنیم، آی سی سه پایه LM317 است.از این رگولاتور می توان به عنوان یک منبع تغذیه ی آزمایشگاهی یا به عنوان منبع تغذیه ی پروژه های الکترونیکی استفاده کرد. این آی سی همانطور که می دانید ولتاژمتغیردر اختیار می گذاردکه در رنج 1.2 تا 37 تغییر می کند، همچنین حداکثر جریان خروجی تا 1.5 آمپر و درصد رگولاسیون 0.1 درصد که بسیار مناسب می باشد.البته اگر جریان 1.5 آمپر برای استفاده شما کافی نیست می توانید از LM338 با 5 آمپر جریان استفاده کنید و همچنین زوج منفی LM317، آی سی LM337 است که ولتاژ منفی 1.2- تا 37- رو تامین میکند.

ديود زنر:
ديود هاي زنر يا شكست ، ديود هاي نيمه هادي با پيوند p-n هستند كه در ناحيه باياس معكوس كار كرده و داراي كاربردهاي زيادي در الكترونيك ، مخصوصآ به عنوان ولتاژ مبنا و يا تثبيت كننده ي ولتاژ دارند.

هنگاميكه پتانسيل الكتريكي دو سر ديود را در جهت معكوس افزايش دهيم در ولتاژ خاصي پديده شكست اتفاق مي افتد، بد ين معني كه با افزايش بيشتر ولتاژ ، جريان بطور سريع و ناگهاني افزايش خواهد داشت. ديود هاي زنر يا شكست ديود هايي هستند كه در اين ناحيه يعني ناحيه شكست كار ميكنند و ظرفيت حرارتي آنها طوري است كه قادر به تحمل محدود جريانمعيني در حالت شكست مي باشند، براي توجيه فيزيكي پديده شكست دو نوع مكانيسم وجود دارد.
مكانيسم اول در ولتاژهاي كمتر از 6 ولت براي ديودهايي كه غلظت حامل ها در آن زياد است اتفاق مي افتد و به پديده شكست زنر مشهور است. در اين نوع ديود ها به علت زياد بودن غلظت ناخالصي ها در دو قسمت p و n ، عرض منطقه ي بار فضاي پيوند باريك بوده و در نتيجه با قرار دادن يك اختلاف پتانسيل v بر روي ديود (پتانسيل معكوس) ، ميدان الكتريكي زيادي در منطقه ي پيوند ايجاد مي شود.
با افزايش پتانسيل v به حدي مي رسيمكه نيروي حاصل از ميدان الكتريكي ، يكي از پيوند هاي كووالانسي را مي شكند. با افزايش بيشتر پتانسيل دو سر ديود از انجايي كه انرژي يا نيروهاي پيوند كووالانسي باند ظرفيت در كريستال نيمه هادي تقريبأ مساوي صفر است ، پتانسيل تغيير چنداني نكرده ، بلكه تعداد بيشتري از پيوندهاي ظرفيتي شكسته شده و جريان ديود افزايش مي يابد.
آزمايش نشان ميدهد كه ضريب حرارتي ولتاژ شكست براي اين نوع ديود منفي است ، يعني با افزايش درجه حرارت ولتاژ شكست كاهش مي يا بد. بنابر اين ديود با ولتاژ كمتري به حالت شكست مي رود (انرژي باند غدغن براي سيليكن و ژرمانيم در درجه حرارت صفر مطلق بترتيب 1.21 و0.785 الكترون_ولت است، و در درجه حرارت 300 درجه كلوين اين انرژي براي سيليكن ev 1.1و براي ژرمانيم ev0.72 خواهد بود). ثابت مي شود كه مي دان الكتريكي لازم براي ايجاد پديده زنر در حدود 2*10است.
اين مقدار براي ديود هايي كه در آنها غلظت حامل ها خيلي زياد است در ولتاژهاي كمتر از 6 ولت ايجاد مي شود . براي ديودهايي كه داراي غلظت حاملهاي كمتري هستند ولتاژ شكست زنر بالاتر بوده و پديده ي ديگري بنام شكست بهمني در آنها اتفاق مي افتد (قبل از شكست زنر) كه ذيلأ به بررسي آن مي پردازيم.
مكانيسم ديگري كه براي پديده شكست ذكر مي شود ، مكانيسم شكست بهمني است. اين مكانيسم در مورد ديودهايي كه ولتاژ شكست آنها بيشتر از 6 ولت است صادق مي باشد . در اين ديود ها به علت كم بودن غلظت ناخالصي ، عرض منطقه ي بار فضا زياد بوده و ميدان الكتريكي كافي براي شكستن پيوندهاي كووالانسي بوجود نمي آيد ، بلكه حاملهاي اقليتي كه بواسطه انرژي حرارتي آزاد مي شود ، در اثر ميدان الكتريكي شتاب گرفته و انرژي جنبشي كافي بدست آورده و در بار فضا با يون هاي كريستال برخورد كرده و در نتيجه پيوندهاي كووالانسي را مي شكنند . با شكستن هر پيوند حاملهاي ايجاد شده كه خود باعث شكستن پيوند هاي بيشتر مي شوند .
بدين ترتيب پيوندها بطور تصاعدي يا زنجيري و يا بصورت پديده ي بهمني شكسته مي شوند و اين باعث مي شود كه ولتاژ دو سر ديود تقريبأ ثابت مانده و جريان آن افزايش يافته و بواسطه ي مدار خارجي محدود مي شود . چنين ديود هايي داراي ضريب درجه ي حرارتي مثبت هستند . زيرا با افزايش درجه ي حرارت اتمهاي متشكله كريستال به ارتعاش در آورده ، در نتيجه احتمال برخورد حاملهاي اقليت با يونها ، بهنگام عبور از منطقه بار فضا زيادتر مي گردد . به علت زياد شدن برخوردها احتمال اينكه انرژي جنبشي حفره يا الكترون بين دو برخورد متوالي بمقدار لازم براي شكست پيوند برسد كمتر شده و در نتيجه ولتاژ شكست افزايش مي يابد.

فیبرهای نوری نسل سوم

طراحان فیبرهای نسل سوم، فیبرهایی را مد نظر داشتند که دارای کمترین تلفات و پاشندگی باشند. برای دستیابی به این نوع فیبرها، محققین از حداقل تلفات در طول موج ۵۵/۱ میکرون و از حداقل پاشندگی در طول موج ۳/۱ میکرون بهره جستند و فیبری را طراحی کردند که دارای ساختار نسبتاً پیچیده‌تری بود.

سیستم های مخابرات فیبر نوری

گسترش ارتباطات و راحتی انتقال اطلاعات از طریق سیستم های انتقال و مخابرات فیبر نوری یکی از پر اهمیت‌ترین موارد مورد بحث در جهان امروز است. سرعت دقت و تسهیل از مهم‌ترین ویژگی های مخابرات فیبر نوری می‌‌باشد. یکی از پر اهمیت‌ترین موارد استفاده از مخابرات فیبر نوری آسانی انتقال در فرستادن سیگنال های حامل اطلاعات دیجیتالی است که قابلیت تقسیم بندی در حوزه زمانی را دارا می‌‌باشد. این به این معنی است که مخابرات دیجیتال تامین کننده پتانسیل کافی برای استفاده از امکانات مخابره اطلاعات در پکیجهای کوچک انتقال در حوزه زمانی است.برای مثال عملکرد مخابرات فیبر نوری با توانایی ۲۰ مگا هرتز با داشتن پهنای باند ۲۰ کیلو هرتز دارای گنجایش اطلاعاتی ۰٫۱٪ می‌‌باشد. امروزه انتقال سیگنالها به وسیله امواج نوری به همراه تکنیکهای وابسته به انتقال شهرت و آوازه سیستم های انتقال ماهوارهای را به شدت مورد تهدید قرار داده است. دیر زمانی ست که این مطلب که نور می‌‌تواند برای انتقال اطلاعات مورد استفاده قرار گیرد به اثبات رسیده است و بشر امروزه توانسته است که از سرعت فوق العاده آن به بهترین وجه استفاده کند. در سال ۱۸۸۰ میلادی الکساندر گراهام بل ۴ سال بعد از اختراع تلفن موفق به اخذ امتیاز نامه خود در زمینه مخابرات امواج نوری برای دستگاه خود با عنوان فوتو تلفن گردید. در ۱۵ سال اخیر با پیشرفت لیزر به عنوان یک منبع نور بسیار قدرتمند و خطوط انتقال فیبر های نوری فاکتور های جدیدی از تکنولوژی و تجارت بهتر را برای انسان به ارمغان آورده است. مخابرات فیبر نوری ابتدا به عنوان یک مخابرات از راه دور قرار دادی تلقی می‌‌شد که در آن امواج نوری به عنوان حامل یک یا چند واسطه انتقال استفاده می‌‌شد. با وجود آنکه امواج نوری حامل سیگنالهای آنالوگ بودند اما سیگنالهای نوری همچنان به عنوان سیستم مخابرات دیجیتال بدون تغییر باقی مانده است. از دلایل این امر می‌‌توان به موارد زیر اشاره کرد: ۱)تکنیکهای مخابرات در سیستم های جدید مورد استفاده قرار می‌‌گرفت ۲)سیستم های جدید با بالاترین تلنولوژی برای داشتن بیشترین گنجایش کارآمدی سرعت و دقت طراحی شده بود. ۳)انتقال به کمک خطوط نوری امکان استفاده از تکنیکهای دیجیتال را فراهم می‌‌ساخت. این مطلب نیاز انسان را به دسترسی به مخابره اطلاعات رابه صورت بیت به بیت پاسخگو بود

• توانایی پردازش اطلاعات در حجم وسیع: از آنجایی که مخابرات فیبر نوری دارای کارایی بالاتری نسبت به سیمهای مسی سنتی هستند بشر امروزی تمایل چندانی برای پیروی از سنت دیرینه خود ندارد و توانایی پردازش حجم وسیعی از اطلاعات در مخابره فیبر نوری او را مجذوب و شیفته خود ساخته است
• آزادی از نویز های الکتریکی:بافت یک فیبر نوری از جنس پلاستیک یا شییشه به دلیل رسانندگی انتخاب می‌‌شود.در نتیجه یک حامل موج نوری می‌تواند از پتانسیل موثر میدانهای الکتریکی در امان باشد. از قابلیت های مهم این نوع مخابرات می‌‌توان به امکان عبور کابل حامل موج نوری از میان یک میدان الکترومغناطیسی قوی اشاره کرد که سیگنالهای نام برده بدون آلودگی از پارازیت های الکتریکی و یا سیگنالهای مداخله گر به حد اکثر کارایی خود خواهند رسید.

پس از اختراع لیزر در سال ۱۹۶۰ میلادی، ایده بکارگیری فیبر نوری برای انتقال اطلاعات شکل گرفت. خبر ساخت اولین فیبر نوری در سال ۱۹۶۶ هم‌زمان در انگلیس و فرانسه با تضعیفی برابر با؟ اعلام شد که عملا در انتقال اطلاعات مخابراتی قابل استفاده نبود تا اینکه در سال ۱۹۷۶ با کوشش فراوان پژوهندگان، تلفات فیبر نوری تولیدی شدیدآ کاهش داده شد و به مقداری رسید که قابل ملاحظه با سیم‌های هم‌محور بکاررفته در شبکه مخابرات بود.

فیبر نوری از پالس‌های نور برای انتقال داده‌ها از طریق تارهای سیلکون بهره می‌گیرد. یک کابل فیبر نوری که کمتر از یک اینچ قطر دارد می‌تواند صدها هزار مکالمهٔ صوتی را حمل کند . فیبرهای نوری تجاری ظرفیت ۲٫۵ گیگابایت در ثانیه تا ۱۰ گیگابایت در ثانیه را فراهم می‌‌سازند . فیبر نوری از چندین لایه ساخته می‌شود. درونی‌ترین لایه را هسته می‌‌نامند. هسته شامل یک تار کاملاً بازتاب کننده از شیشه خالص (معمولاً) است. هسته در بعضی از کابل‌ها از پلاستیک کا ملاً بازتابنده ساخته می‌شود، که هزینه ساخت را پایین می‌‌آورد. با این حال، یک هسته پلاستیکی معمولاً کیفیت شیشه را ندارد و بیشتر برای حمل داده‌ها در فواصل کوتاه به کار می‌رود. حول هسته بخش پوسته قرار دارد، که از شیشه یا پلاستیک ساخته می‌شود. هسته و پوسته به همراه هم یک رابط بازتابنده را تشکیل می‌‌دهند که با عث می‌شود که نور در هسته تا بیده شود تا از سطحی به طرف مرکز هسته باز تابیده شود که در آن دو ماده به هم می‌‌رسند. این عمل بازتاب نور به مرکز هسته را (بازتاب داخلی کلی) می‌‌نامند. قطر هسته و پوسته با هم حدود ۱۲۵ میکرون است (هر میکرون معادل یک میلیونیم متر است)، که در حدود اندازه یک تار موی انسان است. بسته به سازنده، حول پوسته چند لایه محافظ، شامل یک پوشش قرار می‌گیرد.

یک پوشش محافظ پلاستکی سخت لایه بیرونی را تشکیل می‌‌دهد. این لایه کل کابل را در خود نگه می‌‌دارد، که می‌تواند صدها فیبر نوری مختلف را در بر بگیرد. قطر یک کابل نمونه کمتر از یک اینچ است .

از لحاظ کلی، دو نوع فیبر وجود دارد: تک حالتی و چند حالتی. فیبر تک حالتی یک سیگنال نوری را در هر زمان انتشار می‌‌دهد، در حالی که فیبر چند حالتی می‌تواند صدها حالت نور را به طور هم‌زمان انتقال بدهد .

–§== فیبر نوری در ایران == در ایران در اوایل دهه ۶۰، فعالیت‌های پژوهشی در زمینه فیبر نوری در پژوهشگاه، برپایی مجتمع تولید فیبر نوری در پونک تهران را درپی داشت و عملا در سال ۱۳۷۳ تولید فیبر نوری با ظرفیت ۵۰٫۰۰۰ کیلومتر در سال در ایران آغاز شد. فعالیت استفاده از کابل‌های نوری در دیگر شهرهای بزرگ ایران آغاز شد تا در آینده نزدیک از طریق یک شبکه ملی مخابرات نوری به هم بپیوندند. اولین پروژه فیبرنوری با اجرای 700 کیلومتر کابل با 13 هزار کانال بین چندین مسیر با هزینه‌ای بالغ بر 40 میلیارد ریال بین سالهای 69 تا 73 انجام شد. در برنامه دوم توسعه پروژه فیبرنوری با 11600 کیلومتر کابل با 620 هزار کانال بین شهری با هزینه 654 میلیارد ریال در سالهای 74 تا 78 به انجام رسید و نهایتا در برنامه سوم توسعه 17850 کیلومتر تا 2 میلیون کانال با پروتکشن بین شهرهای کشور با هزینه‌ای بالغ بر 1035 میلیارد در سالهای 79 تا 83 اجرا شد.

فیبرنوری یک موجبر استوانه‌ای از جنس شیشه یا پلاستیک است که دو ناحیه مغزی و غلاف با ضریب شکست متفاوت و دو لایه پوششی اولیه و ثانویه پلاستیکی تشکیل شده است. برپایه قانون اسنل برای انتشار نور در فیبر نوری شرط: می‌بایست برقرار باشد که به ترتیب ضریب شکست‌های مغزی و غلاف هستند. انتشار نور تحت تأثیر عواملی ذاتی و اکتسابی دچار تضعیف می‌شود. این عوامل عمدتآ ناشی از جذب فرابنفش، جذب فروسرخ، پراکندگی رایلی، خمش و فشارهای مکانیکی بر آنها هستند.

ویکی پدیا

بسیاری از خانواده های مختلف منطقی به صورت مدار های مجتمع در سطح تجاری عرضه شده اند. متداول ترین خانواده ها از این قرارند:

TTL - منطق ترانزیستور - ترانزیستور
ECL - منطق کوپل امیتر
MOS - منطق فلز - اکسید - نیمه هادی
CMOS - منطق فلز - اکسید - نیمه هادی مکمل

TTL یک خانواده متداول است که سالها مورد استفاده بوده و به عنوان استاندارد تلقی می شود. ECL در سیستم هایی که به سرعت عمل بالا نیاز دارند ترجیح داده می شوند. MOS برای مدار هایی که نیاز به تراکم بالا دارند مناسب است و CMOS در سیستم های کم مصرف به کار می رود.

خانواده منطقی ترانزیستور - ترانزیستور گونه تکامل یافته تکنولوژی قدیمی تریست که در آن از دیود و ترانزیستور برای ساخت گیت پایه NAND استفاده می شده است. این تکنولوژی منطق دیود ترانزیستور (DTL) خوانده می شده است. بعد ها برای بهبود عملکرد مدار به جای دیود از ترانزیستور استفاده شد و نام خانواده جدید ترانزیستور- ترانزیستور گذاشته شد.

علاوه بر نوع استاندارد TTL انواع دیگری از این خانواده عبارتند از TTL سرعت بالا -TTL توان پایین(یا کم مصرف)-TTL شوتکی -TTL شوتکی توان پایین و....
منیع تغذیه مدار های TTL پنج ولت و در دو سطح منطقی 0 و 3.5 ولت می باشد.

خانواده کوپل امیتر سریع ترین مدار های دیجیتال را به فرم مجتمع در اختیار می گذارند. ECL در مدار هایی مانند سوپر کامپیوتر ها و پردازنده های سیگنال که در آنها سرعت بالا ضرورت دارد بکار می رود. ترانزیستور ها در گیت های ECL در حالت غیر اشباح کار می کنند و رسیدن به تاخیر های انتشاری در حد 1 تا 2 نانو ثانیه در آنها میسر است.

منطق فلز- اکسید- نیمه هادی یک ترانزیستور تک قطبی ست که به جریان یک نوع حامل الکتریکی وابسته است. این حامل ها ممکن است الکترون (در نوع کانال n) یا حفره باشند. این بر خلاف ترانزیستور به کار رفته در گیت های TTL/ECL است که در عین عملکرد هر دو نوع حامل در آن وجود دارد.
یک MOS کانال p را PMOS و یک MOS کانال n را NMOS می نامند. معمولا در مدار هایی که فقط یک ترانزیستور MOS وجود دارد از NMOS استفاده می شود. در تکنولوژی CMOS هر دو نوع ترانزیستور که به شکل مکمل در تمام مدار ها بسته شده اند به کار رفته است . بزرگترین مزیت CMOS نسبت به دو قطبی تراکم بالای مدار ها در بسته بندی ساده بودن تکنیک ساخت و عملکرد مقرون به صرفه آن به دلیل مصرف توان کم است.

در تراکم یا پچیدگی آی سی ها از اصطلاحات متداول زیر استفاده می کنند:

 Scale Integration  SSI            Small -۱  با تراکم 10-1گیت  مانند آی سی های ORو ..

2- MSI          Medium    "           "          با تراکم 100-10گیت

3- LSI              Large    "           "          با تراکم 1000-100گیت

4- VLSI     Very Large   "           "           با تراکم 10000-1000گیت

5- SLSI   Super Large   "           "           با تراکم 100000-10000گیت

6- ULSI    Ultra Large    "           "           با تراکم بیش از 100000 گیت

به علت مزایای بی شمار مدار های مجتمع انحصارا در تهیه انواع قطعات لازم در طراحی سیستم های کامپیوتر به کار می رود . برای درک سازمان و طراحی کامپیوتر ها آشنایی با انواع قطعات و اجزائ به کار رفته در مدار های مجتمع اهمیت دارد. به این دلیل اجزائ اصلی به همراه خواص منطقی آن تشریح شده است این اجزا مجموعه ای از واحد های عملیاتی دیجیتال را فراهم می کنند که در طراحی کامپیو تر های دیجیتال یه عنوان بلوک های ساختمان اصلی پایه به کار می روند